品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 90 1mA，6V

功率 - 最大值： 150 mW

频率 - 跃迁： 600MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 90 1mA，6V

功率 - 最大值： 150 mW

频率 - 跃迁： 600MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 90 1mA，6V

功率 - 最大值： 150 mW

频率 - 跃迁： 600MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 90 @ 1mA, 6V

Frequency - Transition： 600MHz

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 20 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 20 V

Power - Max： 150 mW