品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 430 1mA，6V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： 100MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装： TO-92-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 1mA, 10mA

Current - Collector Cutoff (Max)： 1µA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 430 @ 1mA, 6V

Frequency - Transition： 100MHz

Supplier Device Package： TO-92-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 50 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 120 V

Power - Max： 500 mW

品牌： onsemi

包装： Ammo Pack

封装/外壳： *

系列： KSA992

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： PNP

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： - 120 V

集电极—基极电压 VCBO： - 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO： - 5 V

集电极—射极饱和电压： - 90 mV

最大直流电集电极电流： - 50 mA

Pd-功率耗散： 500 mW

增益带宽产品fT： 100 MHz

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： - 50 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min： 150

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

技术： Si

单位重量： 240 mg

温度： -~+ 150 C