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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
J175_晶体管-JFET
J175
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥0.938163

+200：

￥0.363059

+500：

￥0.350299

+1000：

￥0.343994

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
J175_晶体管-JFET
J175
ON(安森美)
授权代理品牌

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

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晶体管-JFET
+1：

￥0.69498

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

J175_晶体管-JFET
J175
ON Semiconductor
授权代理品牌

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

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晶体管-JFET
+1：

￥0.69498

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

J175_晶体管-JFET
J175
Central(美国中央)
授权代理品牌
+1：

￥0.69498

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5pF 10V (VGS)

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -65°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
J175_晶体管-JFET
J175
Rochester(罗彻斯特电子)
授权代理品牌

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

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晶体管-JFET
+1：

￥1.700105

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5pF 10V (VGS)

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92

温度： -65°C # 150°C (TJ)

J175_晶体管-JFET
J175
ON(安森美)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

J175_晶体管-JFET
J175
Central(美国中央)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： P-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 7 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 10 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5.5pF 10V (VGS)

电阻 - RDS(On)： 125 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -65°C # 150°C (TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
J175_未分类
J175
InterFET
授权代理品牌

JFET JFET P-Channel 30V Low Noise

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未分类
+1：

￥56.385636

+10：

￥50.634862

+25：

￥47.829606

+100：

￥41.377519

+500：

￥35.205956

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Bulk

標準包裝數量： 1

J175_未分类
J175
ON(安森美)
授权代理品牌

JFET P-CH 30V TO92-3

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未分类
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Bulk

標準包裝數量： 2000

J175_未分类
J175
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

標準包裝數量： 500

J175参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 30 V
漏源电压（Vdss）: -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 7 mA 15 V
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 3 V 10 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
电阻 - RDS(On): 125 Ohms
功率 - 最大值: 350 mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装: TO-92-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）