品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 50 Ohms

功率 - 最大值： 625 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 50 Ohms

功率 - 最大值： 625 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 50 Ohms

功率 - 最大值： 625 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 µA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： 50 Ohms

功率 - 最大值： 625 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92

系列： J112

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 35 V

闸/源截止电压： - 5 V

Vgs=0时的漏-源电流： 5 mA

Rds On-漏源导通电阻： 50 Ohms

Pd-功率耗散： 625 mW

商标： onsemi / Fairchild

工作温度范围： - 55 C to + 150 C

产品类型： JFETs

类型： JFET

零件号别名： J112_NL

单位重量： 201 mg

温度： - 55 C~+ 150 C