品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 6 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 6 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1.5 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-92-3

系列： J271

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： P-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： - 10 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 30 V

闸/源截止电压： 4.5 V

Vgs=0时的漏-源电流： - 50 mA

Id-连续漏极电流： 5 mA

Pd-功率耗散： 360 mW

商标： InterFET

正向跨导 - 最小值： 8 mS

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 453.600 mg

温度： ~