J111-D26Z厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册未分类	+1：￥2.101738 +10：￥1.722687 +30：￥1.560207 +100：￥1.357606 +500：￥1.267281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： 30 Ohms 功率 - 最大值： 625 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册晶体管-JFET	+500：￥1.179504 +3000：￥1.130537 +10000：￥1.081337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： 30 Ohms 功率 - 最大值： 625 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册晶体管-JFET	+2000：￥1.60852 +4000：￥1.581779 +8000：￥1.555037 +16000：￥1.528065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： 30 Ohms 功率 - 最大值： 625 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册晶体管-JFET	+2000：￥0.648089 +4000：￥0.61213	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： 30 Ohms 功率 - 最大值： 625 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册晶体管-JFET	+2000：￥1.585398 +4000：￥1.497432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 35 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 20 mA 15 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 3 V 1 µA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 电阻 - RDS(On)： 30 Ohms 功率 - 最大值： 625 mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装： TO-92-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥6.578414 +10：￥4.421306 +100：￥2.992413 +500：￥2.329678 +1000：￥2.109836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供应商器件封装： TO-92-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON(安森美) 授权代理品牌	JFET N-CH 35V 625MW TO92 下载数据手册未分类	+1：￥7.628131 +10：￥5.306525 +100：￥2.86884 +1000：￥2.238691 +2000：￥1.608543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 2000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥1.454908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+2000：￥1.154428 +6000：￥1.040877	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	J111-D26Z onsemi(安森美) 授权代理品牌	JFET, N CHANNEL, -35V, TO-226AA-3 下载数据手册未分类	+5：￥4.651157 +10：￥3.239855 +100：￥2.000367 +500：￥1.963549	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

J111-D26Z参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	35 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	20 mA 15 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	3 V 1 µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
电阻 - RDS(On):	30 Ohms
功率 - 最大值:	625 mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装:	TO-92-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）