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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
J309_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: N 通道 JFET

频率: 100MHz

增益: 16dB

电压 - 测试: 10 V

额定电流(安培): 30mA

噪声系数: -

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 25 V

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体

供应商器件封装: TO-92(TO-226)

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
J309_晶体管-FET,MOSFET-射频
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: N 通道 JFET

频率: 100MHz

增益: 16dB

电压 - 测试: 10 V

额定电流(安培): 30mA

噪声系数: -

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 25 V

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体

供应商器件封装: TO-92(TO-226)

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
J309_晶体管
J309
授权代理品牌

JFET JFET N-Channel -25V Low Noise

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: InterFET

包装: Bulk

封装/外壳: TO-92-3

系列: J309

产品种类: JFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

配置: Single

Vds-漏源极击穿电压: 10 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 25 V

闸/源截止电压: - 4 V

Vgs=0时的漏-源电流: 30 mA

Id-连续漏极电流: 1 nA

Pd-功率耗散: 360 mW

商标: InterFET

正向跨导 - 最小值: 10000 uS

产品类型: JFETs

类型: JFET

单位重量: 453.600 mg

温度: ~

J309_晶体管-FET,MOSFET-射频
J309
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: N 通道 JFET

频率: 100MHz

增益: 16dB

电压 - 测试: 10 V

额定电流(安培): 30mA

噪声系数: -

电流 - 测试: 10 mA

功率 - 输出: -

电压 - 额定: 25 V

封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体

供应商器件封装: TO-92(TO-226)

温度:

J309_未分类
J309
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

標準包裝數量: 500

J309参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: N 通道 JFET
频率: 100MHz
增益: 16dB
电压 - 测试: 10 V
额定电流(安培): 30mA
噪声系数: -
电流 - 测试: 10 mA
功率 - 输出: -
电压 - 额定: 25 V
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装: TO-92(TO-226)
温度: