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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5553US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 下载数据手册二极管整流器	+1：￥174.639629 +200：￥69.683201 +500：￥67.355692 +1000：￥66.208329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： D-5B 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5553US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 下载数据手册二极管整流器	+100：￥53.441239	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： D-5B 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5553US Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 下载数据手册二极管整流器	+100：￥130.731429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： D-5B 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTX1N5553US Semtech Corporation(升特) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 5A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SQ-MELF Mounting Type： Surface Mount Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 2 µs Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： 92pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io)： 5A Supplier Device Package： - Operating Temperature - Junction： - Grade： Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 1 µA @ 800 V Qualification： MIL-PRF-19500/420

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5553US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 下载数据手册	+100：￥149.445665	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： D-5B 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	JANTX1N5553US Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF 下载数据手册二极管与整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列： Military, MIL-PRF-19500/420 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 9 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SQ-MELF，B 供应商器件封装： D-5B 工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	JANTX1N5553US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 800V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF Bag 下载数据手册未分类	+1：￥162.784108 +100：￥161.421993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	JANTX1N5553US 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 800V 5A 2000ns 2-Pin 下载数据手册未分类	+250：￥445.471416 +500：￥441.045257 +1000：￥436.619101 +2000：￥432.19294 +2500：￥427.909562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

JANTX1N5553US参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Military, MIL-PRF-19500/420
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	800 V
电流 - 平均整流 (Io):	3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 9 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 800 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SQ-MELF，B
供应商器件封装:	D-5B
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: