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	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥19.142321 +300：￥14.316478 +1000：￥11.09933 +4000：￥8.042991 +20000：￥7.238704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.702134 +10：￥6.566971 +30：￥5.94104 +100：￥5.230237 +500：￥4.922576	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.170236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥11.532489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥25.039346 +10：￥12.176013 +50：￥11.095876 +100：￥9.092684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH6200TRPBF 授权代理品牌	IRFH6200TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥8.790541 +30：￥8.644033 +50：￥8.570777 +100：￥8.424269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.773046 +8000：￥11.576829 +12000：￥11.478779 +16000：￥11.282561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.784215	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.703456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFH6200TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	49A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.95 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	230 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10890 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），156W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+4000：￥11.532489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥25.039346 +10：￥12.176013 +50：￥11.095876 +100：￥9.092684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH6200TRPBF 授权代理品牌	IRFH6200TRPBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+10：￥8.790541 +30：￥8.644033 +50：￥8.570777 +100：￥8.424269	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFH6200TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥11.773046 +8000：￥11.576829 +12000：￥11.478779 +16000：￥11.282561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 49A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.95 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10890 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），156W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）