IPN60R360PFD7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.819699 +10：￥7.213052 +30：￥6.010917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.80249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.590835 +6000：￥2.467459 +9000：￥2.353537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.337867 +6000：￥6.036057 +9000：￥5.757374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.276094 +10：￥12.534964 +100：￥9.751001 +500：￥8.264795 +1000：￥6.732475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.276094 +10：￥12.534964 +100：￥9.751001 +500：￥8.264795 +1000：￥6.732475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册未分类	+1：￥17.462793 +10：￥14.329284 +100：￥11.146811 +500：￥9.449493 +1000：￥7.637932	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 7W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN60R360PFD7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	534 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	7W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3-1
封装/外壳:	TO-261-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）