IRLTS2242TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.640123 +10：￥1.521274 +30：￥1.497504 +100：￥1.426194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.14008 +10：￥3.42672 +30：￥2.8556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册未分类	+1：￥2.111619 +10：￥1.74084 +30：￥1.581919 +100：￥1.423106 +500：￥1.317123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRLTS2242TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRLTS2242TRPBF 下载数据手册未分类	+5：￥0.842602 +50：￥0.741634 +150：￥0.698362 +500：￥0.644272 +3000：￥0.552919	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.30438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRLTS2242TRPBF 授权代理品牌	IRLTS2242TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.71958 +6000：￥0.682651 +9000：￥0.64665	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLTS2242TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRLTS2242TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+10：￥0.982592 +100：￥0.903989 +300：￥0.86463 +500：￥0.825387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLTS2242TRPBF 授权代理品牌	IRLTS2242TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.898549 +100：￥0.876091 +3000：￥0.82365 +9000：￥0.786143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.917591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRLTS2242TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.85617 +6000：￥0.812657 +9000：￥0.754602 +30000：￥0.737198 +75000：￥0.718391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 32 毫欧 6.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-TSOP 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRLTS2242TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	32 毫欧 6.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.1V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	905 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-TSOP
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）