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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥5.769599 +200：￥2.24009 +500：￥2.152672 +1000：￥2.11989	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.111293 +50：￥7.331087 +100：￥5.809618 +500：￥4.924538 +1000：￥4.011597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.288637 +50：￥17.933783 +100：￥14.211865 +500：￥12.046723 +1000：￥9.813429	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥25.315933 +10：￥19.926089 +100：￥15.793877 +500：￥13.784936 +1000：￥11.204342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+1：￥23.647921 +10：￥18.558002 +100：￥14.639561 +500：￥12.6741 +1000：￥10.240673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z10 下载数据手册未分类	+50：￥10.948385 +100：￥9.286577 +500：￥8.21129 +1000：￥6.647235 +2000：￥6.353974	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 6.7A 下载数据手册未分类	+1：￥14.321259 +10：￥11.026215 +100：￥8.910723 +500：￥7.974776 +1000：￥7.333717	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥14.25257 +10：￥10.944057 +100：￥8.782458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF9Z10PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥10.060639 +10：￥8.169237 +100：￥7.230245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9Z10PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A 下载数据手册未分类	+1：￥15.113708 +10：￥11.631513 +100：￥9.382588 +500：￥8.391134 +1000：￥6.662123	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9Z10PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）