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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMX9T110_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥0.342833

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¥0.316462

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¥0.311181

+100:

¥0.29536

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

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IMX9T110_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

三极管(晶体管) IMX9T110 SOT-457

双极晶体管预偏置

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¥0.546194

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¥0.290521

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¥0.276001

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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IMX9T110_null
IMX9T110
授权代理品牌

TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT

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¥0.319987

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¥0.285092

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

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IMX9T110_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

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IMX9T110_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

IMX9T110_双极晶体管预偏置
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货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

IMX9T110_双极晶体管预偏置
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+3000:

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

Mouser
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IMX9T110_晶体管
IMX9T110
授权代理品牌

TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V

功率 - 最大值: 300mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度: 150°C(TJ)

IMX9T110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 20mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 560 10mA,3V
功率 - 最大值: 300mW
频率 - 跃迁: 350MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: 150°C(TJ)