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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1500：￥1.417392 +3000：￥1.012464 +6000：￥1.012464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营现货库存

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥2.264878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.083537 +6000：￥1.065478 +9000：￥1.047419 +12000：￥1.02936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册	+1：￥2.989296 +100：￥1.727856 +1500：￥1.095408 +3000：￥0.792	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营国内现货

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.64035 +6000：￥0.604831 +15000：￥0.551408 +30000：￥0.515891 +75000：￥0.462466	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

Digi-Key

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.081342 +6000：￥1.057169 +9000：￥0.936299 +30000：￥0.924212 +75000：￥0.785275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥4.859681 +10：￥3.476542 +100：￥1.751977 +500：￥1.552607 +1000：￥1.208191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457
	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥4.859681 +10：￥3.476542 +100：￥1.751977 +500：￥1.552607 +1000：￥1.208191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457

Mouser

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	IMH11AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册未分类	+1：￥6.320254 +10：￥4.771793 +100：￥2.970521 +500：￥2.038283 +1000：￥1.564264	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

IMH11AT110参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	300mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-74，SOT-457
供应商器件封装:	SMT6
温度: