品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 22 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 44 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，12A

功率 - 最大值： 66 W

开关能量： 190µJ（开），920µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 26ns/194ns

测试条件： 480V，12A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： D-Pak

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 22 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 44 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，12A

功率 - 最大值： 66 W

开关能量： 190µJ（开），920µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 26ns/194ns

测试条件： 480V，12A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： D-Pak

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.1V @ 15V, 12A

Supplier Device Package： D-Pak

IGBT Type： -

Td (on/off) @ 25°C： 26ns/194ns

Switching Energy： 190µJ (on), 920µJ (off)

Test Condition： 480V, 12A, 50Ohm, 15V

Gate Charge： 27 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 22 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 44 A

Power - Max： 66 W

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 22 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 44 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，12A

功率 - 最大值： 66 W

开关能量： 190µJ（开），920µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 26ns/194ns

测试条件： 480V，12A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： D-Pak

温度： -55°C # 150°C（TJ）