品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 52 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，6.5A

功率 - 最大值： 60 W

开关能量： 160µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 39ns/93ns

测试条件： 480V，6.5A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 37 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 52 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，6.5A

功率 - 最大值： 60 W

开关能量： 160µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 39ns/93ns

测试条件： 480V，6.5A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 37 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 13 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 52 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，6.5A

功率 - 最大值： 60 W

开关能量： 160µJ（开），130µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 39ns/93ns

测试条件： 480V，6.5A，50 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 37 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 37 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.1V @ 15V, 6.5A

Supplier Device Package： D2PAK

IGBT Type： -

Td (on/off) @ 25°C： 39ns/93ns

Switching Energy： 160µJ (on), 130µJ (off)

Test Condition： 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Gate Charge： 27 nC

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 13 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 52 A

Power - Max： 60 W