搜索 IXTP4N70X2M 共 2 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1： ￥42.175804 +10： ￥37.897451 +100： ￥31.053302 +500： ￥26.435113 +1000： ￥22.294714 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1： ￥46.113922 +10： ￥41.473528 +50： ￥40.458441 +100： ￥32.337751 +500： ￥27.842368 |
IXTP4N70X2M参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Ultra X2 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 850 毫欧 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11.8 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 386 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 30W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 隔离的标片 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |