IKW30N65EL5XKSA1厂家价格_数据手册

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥50.2392 +10：￥42.70332 +30：￥35.16744 +100：￥31.3995 +500：￥28.88754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥22.171431 +10：￥19.363122 +30：￥17.428996	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥46.703943	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥52.771214 +10：￥45.722167 +100：￥37.462155 +500：￥32.886095	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥35.03655 +10：￥31.453137 +100：￥25.76924 +500：￥21.937097 +1000：￥20.109955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥85.708685 +10：￥76.942707 +100：￥63.038389 +500：￥53.66395 +1000：￥49.194277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 85A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥85.060413 +30：￥47.986771 +120：￥39.810875 +510：￥33.81687 +1020：￥32.322192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package： PG-TO247-3 IGBT Type： - Td (on/off) @ 25°C： 33ns/308ns Switching Energy： 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition： 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge： 168 nC Current - Collector (Ic) (Max)： 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A Power - Max： 227 W

Mouser

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	IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥55.552692 +25：￥43.944668 +100：￥38.306483 +240：￥36.150707 +480：￥35.155734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 5 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 85 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.35V 15V，30A 功率 - 最大值： 227 W 开关能量： 470µJ（开），1.35mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 168 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 33ns/308ns 测试条件： 400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 100 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥31.38887	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IKW30N65EL5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥31.287445 +10：￥26.414014 +50：￥24.757043 +100：￥21.832985 +960：￥21.735515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IKW30N65EL5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchStop™ 5
零件状态:	在售
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	85 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.35V 15V，30A
功率 - 最大值:	227 W
开关能量:	470µJ（开），1.35mJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	168 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	33ns/308ns
测试条件:	400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	100 ns
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	PG-TO247-3
温度:	-40°C # 175°C（TJ）