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IKW50N65F5FKSA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

晶体管-IGBT

+1:

¥23.42439

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKW50N65F5FKSA1_未分类
IKW50N65F5FKSA1
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

未分类

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¥46.096662

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKW50N65F5FKSA1_未分类
IKW50N65F5FKSA1
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

未分类

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¥19.84557

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IKW50N65F5FKSA1_晶体管-IGBT
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

晶体管-IGBT

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¥31.903875

+10:

¥28.658003

+100:

¥23.481252

+500:

¥19.989359

+1000:

¥18.324476

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IKW50N65F5FKSA1_晶体管-IGBT
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

晶体管-IGBT

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¥78.045332

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¥70.105068

+100:

¥57.441365

+500:

¥48.89927

+1000:

¥44.826523

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKW50N65F5FKSA1_未分类
IKW50N65F5FKSA1
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

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+240:

¥36.396066

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-247-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Reverse Recovery Time (trr): 52 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A

Supplier Device Package: PG-TO247-3

IGBT Type: -

Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns

Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)

Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V

Gate Charge: 120 nC

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 80 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A

Power - Max: 305 W

Mouser
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IKW50N65F5FKSA1
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IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

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¥100.658162

+10:

¥87.060189

+25:

¥66.165744

+100:

¥61.688363

+240:

¥46.432101

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A

功率 - 最大值: 305 W

开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 120 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns

测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 52 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: PG-TO247-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
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IKW50N65F5FKSA1
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

未分类

+240:

¥31.651991

+270:

¥31.001925

+510:

¥30.893582

库存: 0

货期:7~10 天

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¥42.951794

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¥36.299968

库存: 0

货期:7~10 天

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IKW50N65F5FKSA1
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¥48.273256

+10:

¥40.196037

+25:

¥33.734264

+50:

¥24.326681

+250:

¥24.231655

库存: 0

货期:7~10 天

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IKW50N65F5FKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchStop®
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,50A
功率 - 最大值: 305 W
开关能量: 490µJ(开),160µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 120 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 21ns/175ns
测试条件: 400V,25A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 52 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: PG-TO247-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)