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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 170 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 640 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 45000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 Zilog 授权代理品牌	IXFN320N17T2 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥235.259413	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 170 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 640 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 45000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥575.50686	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 170 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 640 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 45000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B 下载数据手册	+300：￥623.684713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 170 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 260A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 640 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 45000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1070W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN320N17T2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥462.100832 +1000：￥415.99126	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IXFN320N17T2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 170V 260A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+300：￥611.2181 +500：￥605.026983 +1000：￥598.990643 +2000：￥592.954302 +2500：￥587.072741	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN320N17T2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, TrenchT2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	170 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.2 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	640 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	45000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1070W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）