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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGB50N60TATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

晶体管-IGBT

+1:

¥18.9728

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,50A

功率 - 最大值: 333 W

开关能量: 2.6mJ

输入类型: 标准

栅极电荷: 310 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/299ns

测试条件: 400V,50A,7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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IGB50N60TATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

晶体管-IGBT

+1000:

¥36.082325

+2000:

¥35.555576

+5000:

¥32.395081

+10000:

¥31.604957

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,50A

功率 - 最大值: 333 W

开关能量: 2.6mJ

输入类型: 标准

栅极电荷: 310 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/299ns

测试条件: 400V,50A,7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IGB50N60TATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

晶体管-IGBT

+1:

¥69.84599

+10:

¥62.677213

+25:

¥59.260002

+100:

¥47.407434

+250:

¥44.773972

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

IGB50N60TATMA1_晶体管-IGBT
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IGBT 600V 100A 333W TO263-3

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

Mouser
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IGB50N60TATMA1_晶体管
IGB50N60TATMA1
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IGBT 600V 100A 333W TO263-3

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,50A

功率 - 最大值: 333 W

开关能量: 2.6mJ

输入类型: 标准

栅极电荷: 310 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/299ns

测试条件: 400V,50A,7 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IGB50N60TATMA1_未分类
IGB50N60TATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+1000:

¥40.021039

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IGB50N60TATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop®
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,50A
功率 - 最大值: 333 W
开关能量: 2.6mJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 310 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 26ns/299ns
测试条件: 400V,50A,7 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
温度: -40°C # 175°C(TJ)