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IPG20N04S4L07AATMA1_射频晶体管
IPG20N04S4L07AATMA1
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3980pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
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IPG20N04S4L07AATMA1_射频晶体管
授权代理品牌
+5000:

¥9.589016

+10000:

¥9.214505

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3980pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C (TJ)

IPG20N04S4L07AATMA1_射频晶体管
授权代理品牌
+1:

¥22.117283

+10:

¥19.85613

+25:

¥18.72679

+100:

¥14.608526

+250:

¥14.233645

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

IPG20N04S4L07AATMA1_射频晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

Mouser
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IPG20N04S4L07AATMA1_晶体管
IPG20N04S4L07AATMA1
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 8TDSON

晶体管

+1:

¥26.052528

+10:

¥21.815069

+100:

¥17.263723

+250:

¥16.008179

+500:

¥14.454445

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2mOhm 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 30µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3980pF 25V

功率 - 最大值: 65W

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount, Wettable Flank

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-10

温度: -55°C # 175°C (TJ)

艾睿
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IPG20N04S4L07AATMA1_未分类
IPG20N04S4L07AATMA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

未分类

+5000:

¥9.762232

+10000:

¥9.504109

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IPG20N04S4L07AATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.2mOhm 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 50nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3980pF 25V
功率 - 最大值: 65W
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount, Wettable Flank
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PG-TDSON-8-10
温度: -55°C # 175°C (TJ)