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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥19.634065

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 74 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD15N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 74 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥4.913871

+5000:

¥4.729161

+12500:

¥4.572595

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 74 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥12.02063

+5000:

¥11.56878

+12500:

¥11.185777

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 74 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥26.654862

+10:

¥22.136362

+100:

¥17.624992

+500:

¥14.912753

+1000:

¥12.653362

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

IKD15N60RFATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥26.654862

+10:

¥22.136362

+100:

¥17.624992

+500:

¥14.912753

+1000:

¥12.653362

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

Mouser
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IKD15N60RFATMA1_晶体管
IKD15N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

晶体管

+2500:

¥13.736111

+5000:

¥13.214693

+10000:

¥12.774746

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 74 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IKD15N60RFATMA1_未分类
IKD15N60RFATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+1:

¥13.80668

+10:

¥13.593479

+25:

¥13.38028

+100:

¥13.167079

+250:

¥12.953878

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IKD15N60RFATMA1_未分类
IKD15N60RFATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+8:

¥8.364792

+10:

¥8.236551

+25:

¥8.107369

+100:

¥7.977243

+250:

¥7.849006

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
IKD15N60RFATMA1_未分类
IKD15N60RFATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥9.53026

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IKD15N60RFATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop®
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,15A
功率 - 最大值: 250 W
开关能量: 270µJ(开),250µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 90 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 13ns/160ns
测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 74 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)