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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.148608 +100：￥6.532128 +300：￥4.994928 +500：￥4.241088 +1000：￥3.814848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.5531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+8000：￥2.536381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9952TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9952TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+8：￥1.545893 +4000：￥1.422259 +12000：￥1.360325 +16000：￥1.298624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.201811 +30：￥2.442095 +100：￥2.201154 +500：￥2.118626 +2000：￥2.058969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥3.064371 +30：￥2.298752 +100：￥2.07204 +500：￥1.994572 +2000：￥1.938605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9952TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9952TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.631788 +200：￥1.566498 +500：￥1.527371 +4000：￥1.501208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.139492 +20000：￥2.824377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.652773 +10：￥7.6246 +100：￥5.726181 +500：￥4.533825 +1000：￥3.629588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9952TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.249929 +8000：￥2.1315 +12000：￥1.973595 +28000：￥1.954073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A，2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9952TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A，2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）