IKW50N65ES5XKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IKW50N65ES5XKSA1 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥23.891571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥34.86564 +10：￥31.305015 +100：￥25.650743 +500：￥21.836031 +1000：￥20.017264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥85.290594 +10：￥76.580361 +100：￥62.748513 +500：￥53.416719 +1000：￥48.967532	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥85.934101 +30：￥68.118146 +120：￥58.38686 +510：￥51.899478 +1020：￥44.438798	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package： PG-TO247-3 IGBT Type： Trench Td (on/off) @ 25°C： 20ns/127ns Switching Energy： 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition： 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge： 120 nC Current - Collector (Ic) (Max)： 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 200 A Power - Max： 274 W

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥100.360038 +10：￥98.235151 +25：￥79.111171 +100：￥66.852208 +480：￥51.487641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.7V 15V，50A 功率 - 最大值： 274 W 开关能量： 1.23mJ（开），550µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 120 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 20ns/127ns 测试条件： 400V，50A，8.2 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 70 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： PG-TO247-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥72.809636 +10：￥68.428118 +25：￥67.222468 +100：￥60.576677 +240：￥59.620977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKW50N65ES5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+2：￥30.923121 +25：￥29.594566 +50：￥28.467136 +100：￥27.501171 +250：￥26.666458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IKW50N65ES5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchStop™
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.7V 15V，50A
功率 - 最大值:	274 W
开关能量:	1.23mJ（开），550µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	120 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	20ns/127ns
测试条件:	400V，50A，8.2 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	70 ns
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	PG-TO247-3
温度:	-40°C # 175°C（TJ）