IXTN200N10T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN200N10T 授权代理品牌	IXTN200N10T 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SOT-227-4,miniBLOC

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN200N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥506.064525 +10：￥466.707098 +100：￥398.541396 +500：￥361.8333	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTN200N10T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 下载数据手册	+1：￥641.670238 +10：￥570.138183 +100：￥498.76907 +200：￥456.077959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 152 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTN200N10T参数规格

属性	参数值
封装/外壳:	SOT-227-4,miniBLOC