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IXYS(艾赛斯.力特) IXTN200N10T

IXYS(艾赛斯.力特) IXTN200N10T
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTN200N10T

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

mouser
digikey

服务:

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客服:

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IXTN200N10T 中文资料

数据手册PDF

IXTN200N10T 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

商标名 HiPerFET

技术类参数

栅极电压 - 20 V, + 20 V

配置 Single

漏极电流 200 A

通道数量 1 Channel

耗散功率 550 W

漏源电阻 5.5 mOhms

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

物理类型

产品种类 分立半导体模块

安装风格 Chassis Mount

产品类型 Discrete Semiconductor Modules

单位重量 30 g

库存: 275

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥622.419403 总价:¥622.42
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 622.419403 622.42
10 553.03339 5530.33
100 483.805431 48380.54
200 442.395101 88479.02
品牌其他型号
IXTN200N10T品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTN200N10T、查询IXTN200N10T代理商; IXTN200N10T价格批发咨询客服;这里拥有 IXTN200N10T中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTN200N10T替代型号IXTN200N10T数据手册PDF