 | IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF100S201 | | | | 品牌： Infineon Technologies 包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 192A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 115A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 255 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9500 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 441W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
