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	IKP08N65H5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥7.813333	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop® 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 18 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 24 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，8A 功率 - 最大值： 70 W 开关能量： 70µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 22 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 11ns/115ns 测试条件： 400V，4A，48 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 40 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 整包供应商器件封装： PG-TO220-3-111 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IKP08N65H5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥11.988402 +10：￥10.74323 +100：￥8.636861 +500：￥7.095745 +1000：￥7.051729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop® 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 18 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 24 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，8A 功率 - 最大值： 70 W 开关能量： 70µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 22 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 11ns/115ns 测试条件： 400V，4A，48 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 40 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 整包供应商器件封装： PG-TO220-3-111 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKP08N65H5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥29.326807 +10：￥26.280787 +100：￥21.128051 +500：￥17.358072 +1000：￥17.250398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop® 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 18 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 24 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，8A 功率 - 最大值： 70 W 开关能量： 70µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 22 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 11ns/115ns 测试条件： 400V，4A，48 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 40 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 整包供应商器件封装： PG-TO220-3-111 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IKP08N65H5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchStop® 零件状态：在售 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 18 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 24 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，8A 功率 - 最大值： 70 W 开关能量： 70µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 22 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 11ns/115ns 测试条件： 400V，4A，48 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 40 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-3 整包供应商器件封装： PG-TO220-3-111 温度： -40°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IKP08N65H5XKSA1 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥15.140317 +1000：￥13.228502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IKP08N65H5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchStop®
零件状态:	在售
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.1V 15V，8A
功率 - 最大值:	70 W
开关能量:	70µJ（开），30µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	22 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	11ns/115ns
测试条件:	400V，4A，48 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	40 ns
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-3 整包
供应商器件封装:	PG-TO220-3-111
温度:	-40°C # 175°C（TJ）