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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS350A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.833305 +200：￥6.906035 +360：￥6.665635 +1080：￥6.545435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册未分类	+176：￥16.380148 +878：￥16.058945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥18.133849 +300：￥18.050615 +500：￥17.967498 +1000：￥17.884265 +5000：￥17.634796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.394705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS350A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS350A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFS350A Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+122：￥37.634643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-3P-3 Full Pack 供应商器件封装： TO-3PF

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS350A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 360

IRFS350A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 5.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	131 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2780 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	92W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3PF
封装/外壳:	TO-3P-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册未分类	+176：￥16.380148 +878：￥16.058945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥18.133849 +300：￥18.050615 +500：￥17.967498 +1000：￥17.884265 +5000：￥17.634796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFS350A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.394705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 400 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 131 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 92W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3PF 封装/外壳： TO-3P-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）