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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥24.406063 +300：￥18.253213 +1000：￥14.151434 +4800：￥10.254629 +9600：￥9.741952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.154885 +10：￥20.21545 +30：￥18.478014 +100：￥16.718723 +500：￥15.899178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.43504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.885306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥4.760012	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥11.644251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.821162 +10：￥21.632271 +100：￥15.425615 +500：￥12.674003 +1000：￥11.776737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ
IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.821162 +10：￥21.632271 +100：￥15.425615 +500：￥12.674003 +1000：￥11.776737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MZ 供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ
IRF6775MTRPBF International 授权代理品牌	IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册未分类	+342：￥13.462799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 56mOhm @ 5.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5V @ 100µA Supplier Device Package： DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1411 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6775MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET 下载数据手册晶体管	+1：￥20.728616 +10：￥17.577867 +100：￥13.597972 +500：￥12.636166 +2500：￥12.619583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Ta），28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 5.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1411 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），89W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MZ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MZ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6775MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.9A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	56 毫欧 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1411 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MZ
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MZ
温度:	-40°C # 150°C（TJ）