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自营 现货库存
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IRG4BC30FDSTRRP_未分类
IRG4BC30FDSTRRP
授权代理品牌

IGBT 600V 31A 100W D2PAK

未分类

+1:

¥43.741862

+10:

¥38.158027

+30:

¥34.759646

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4BC30FDSTRRP_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 31A 100W D2PAK

晶体管-IGBT

+1:

¥32.119813

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4BC30FDSTRRP_晶体管-IGBT
IRG4BC30FDSTRRP
授权代理品牌

IGBT 600V 31A 100W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4BC30FDSTRRP_晶体管-IGBT
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IGBT 600V 31A 100W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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授权代理品牌

IGBT 600V 31A 100W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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Mouser
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IRG4BC30FDSTRRP_未分类
IRG4BC30FDSTRRP
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IGBT 600V 31A 100W D2PAK

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 51 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns

测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 42 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRG4BC30FDSTRRP参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 31 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.8V 15V,17A
功率 - 最大值: 100 W
开关能量: 630µJ(开),1.39mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 51 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 42ns/230ns
测试条件: 480V,17A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 42 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK
温度: -55°C # 150°C(TJ)