IPD12CN10NGATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD12CN10NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.326075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4320 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥19.95003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4320 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.338219 +10：￥31.717904 +100：￥25.496647 +500：￥20.947408 +1000：￥19.95003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD12CN10NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD12CN10NGATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 67A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.4 毫欧 67A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4320 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥22.045006 +10：￥20.238299 +25：￥19.919748 +100：￥18.195451 +250：￥17.829354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD12CN10NGATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.4 毫欧 67A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4320 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）