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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRGSL4B60KD1PBF_晶体管-IGBT
IRGSL4B60KD1PBF
授权代理品牌

IGBT 600V 11A 63W TO262

晶体管-IGBT

+1:

¥19.275704

+200:

¥7.463325

+500:

¥7.201071

+1000:

¥7.069944

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 11 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 22 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,4A

功率 - 最大值: 63 W

开关能量: 73µJ(开),47µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 12 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/100ns

测试条件: 400V,4A,100 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 93 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商器件封装: TO-262

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRGSL4B60KD1PBF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 11A 63W TO262

晶体管-IGBT

+6:

¥16.969844

+20:

¥16.317278

+50:

¥15.664547

+100:

¥15.011817

+300:

¥14.359086

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 11 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 22 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,4A

功率 - 最大值: 63 W

开关能量: 73µJ(开),47µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 12 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/100ns

测试条件: 400V,4A,100 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 93 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

供应商器件封装: TO-262

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRGSL4B60KD1PBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 11 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 22 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,4A
功率 - 最大值: 63 W
开关能量: 73µJ(开),47µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 12 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/100ns
测试条件: 400V,4A,100 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 93 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装: TO-262
温度: -55°C # 175°C(TJ)