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Digi-Key
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IXYP10N65C3D1M_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: XPT™, GenX3™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 15 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 50 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.6V 15V,10A

功率 - 最大值: 53 W

开关能量: 240µJ(开),170µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 18 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/77ns

测试条件: 400V,10A,50 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 26 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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IXYP10N65C3D1M_未分类
IXYP10N65C3D1M
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货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: XPT™, GenX3™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 15 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 50 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.6V 15V,10A

功率 - 最大值: 53 W

开关能量: 240µJ(开),170µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 18 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/77ns

测试条件: 400V,10A,50 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 26 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IXYP10N65C3D1M_未分类
IXYP10N65C3D1M
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High Performance 650V IGBT Chip

未分类

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¥28.042661

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¥27.59036

+2000:

¥27.326518

+2500:

¥27.050111

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¥26.773705

库存: 0

货期:7~10 天

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IXYP10N65C3D1M参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: XPT™, GenX3™
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 15 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 50 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.6V 15V,10A
功率 - 最大值: 53 W
开关能量: 240µJ(开),170µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 18 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 20ns/77ns
测试条件: 400V,10A,50 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 26 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
温度: -55°C # 175°C(TJ)