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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKB30N65ES5ATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌
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¥27.815846

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™ 5

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 62 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V 15V,30A

功率 - 最大值: 188 W

开关能量: 560µJ(开),320µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 70 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/124ns

测试条件: 400V,30A,13 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 75 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKB30N65ES5ATMA1_晶体管
IKB30N65ES5ATMA1
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™ 5

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 62 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V 15V,30A

功率 - 最大值: 188 W

开关能量: 560µJ(开),320µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 70 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/124ns

测试条件: 400V,30A,13 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 75 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKB30N65ES5ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop™ 5
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 62 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.7V 15V,30A
功率 - 最大值: 188 W
开关能量: 560µJ(开),320µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 70 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17ns/124ns
测试条件: 400V,30A,13 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 75 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)