IRG4BC30FD-SPBF厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥18.718414 +200：￥7.24478 +500：￥6.993453 +1000：￥6.862326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥20.937719	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRG4BC30FD-SPBF International 授权代理品牌	IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N 下载数据手册未分类	+158：￥26.479106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package： D2PAK IGBT Type： - Td (on/off) @ 25°C： 42ns/230ns Switching Energy： 630µJ (on), 1.39mJ (off) Test Condition： 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge： 51 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 124 A Power - Max： 100 W
IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRG4BC30 - DISCRETE IGBT WITH AN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRG4BC30FD-SPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 31A 100W D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 31 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 124 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V 15V，17A 功率 - 最大值： 100 W 开关能量： 630µJ（开），1.39mJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 51 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 42ns/230ns 测试条件： 480V，17A，23 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 42 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRG4BC30FD-SPBF 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube 下载数据手册未分类	+1：￥31.309403 +158：￥26.073329	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRG4BC30FD-SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	31 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	124 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	1.8V 15V，17A
功率 - 最大值:	100 W
开关能量:	630µJ（开），1.39mJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	51 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	42ns/230ns
测试条件:	480V，17A，23 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	42 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	D2PAK
温度:	-55°C # 150°C（TJ）