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IRG4PH30KPBF_晶体管-IGBT
IRG4PH30KPBF
授权代理品牌

IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

晶体管-IGBT

+1:

¥43.108186

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¥36.641946

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¥30.175706

+100:

¥26.942586

+500:

¥24.787213

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 4.2V 15V,10A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 640µJ(开),920µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/200ns

测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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IRG4PH30KPBF_晶体管-IGBT
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IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

晶体管-IGBT

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¥21.100558

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¥18.598214

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¥17.112105

+100:

¥15.604142

+500:

¥14.915724

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 4.2V 15V,10A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 640µJ(开),920µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/200ns

测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247AC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4PH30KPBF_晶体管-IGBT
IRG4PH30KPBF
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IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 4.2V 15V,10A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 640µJ(开),920µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/200ns

测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

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晶体管-IGBT

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电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

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输入类型: 标准

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测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

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晶体管-IGBT

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

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电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

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IRG4PH30KPBF_晶体管-IGBT
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货期:7~10 天

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IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 4.2V 15V,10A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 640µJ(开),920µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 53 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/200ns

测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V

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工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRG4PH30KPBF_未分类
IRG4PH30KPBF
授权代理品牌
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¥13.013334

+100:

¥12.649327

+375:

¥12.285317

+1000:

¥12.01231

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¥11.648298

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IRG4PH30KPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 4.2V 15V,10A
功率 - 最大值: 100 W
开关能量: 640µJ(开),920µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 28ns/200ns
测试条件: 960V,10A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247AC
温度: -55°C # 150°C(TJ)