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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTL2X180N10T_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

射频晶体管

+25:

¥242.238826

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Trench

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6900pF 25V

功率 - 最大值: 150W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak™

供应商器件封装: ISOPLUSi5-Pak™

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTL2X180N10T_晶体管
IXTL2X180N10T
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

晶体管

+25:

¥277.072942

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: Trench

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6900pF 25V

功率 - 最大值: 150W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak™

供应商器件封装: ISOPLUSi5-Pak™

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IXTL2X180N10T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: Trench
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6900pF 25V
功率 - 最大值: 150W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装: ISOPLUSi5-Pak™
温度: -55°C # 175°C(TJ)