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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKD10N60RATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 20A TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥11.061062

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A

功率 - 最大值: 150 W

开关能量: 210µJ(开),380µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 64 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/192ns

测试条件: 400V,10A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKD10N60RATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 20A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥24.010519

+10:

¥21.440744

+100:

¥16.71781

+500:

¥13.810591

+1000:

¥11.061062

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop™

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

IKD10N60RATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 20A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥24.010519

+10:

¥21.440744

+100:

¥16.71781

+500:

¥13.810591

+1000:

¥11.061062

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop™

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKD10N60RATMA1_未分类
IKD10N60RATMA1
授权代理品牌

IGBT 600V 20A TO252-3

未分类

+1:

¥25.808351

+10:

¥23.143358

+25:

¥22.442043

+100:

¥17.953635

+250:

¥17.392584

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A

功率 - 最大值: 150 W

开关能量: 210µJ(开),380µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 64 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/192ns

测试条件: 400V,10A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IKD10N60RATMA1_未分类
IKD10N60RATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+1:

¥22.787174

+10:

¥20.314596

+25:

¥19.902499

+100:

¥15.54659

+250:

¥15.485027

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IKD10N60RATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop™
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,10A
功率 - 最大值: 150 W
开关能量: 210µJ(开),380µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 64 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 14ns/192ns
测试条件: 400V,10A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)