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IKD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD06N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥13.901932

+10:

¥9.267995

+30:

¥7.723309

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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IKD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD06N60RFATMA1
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IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

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¥20.41214

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¥17.909796

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¥16.347196

+100:

¥14.740887

+500:

¥14.019687

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
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IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

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¥5.114428

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥2.699805

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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晶体管-IGBT

+2500:

¥7.761611

+5000:

¥7.225241

+7500:

¥7.071796

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
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IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥27.843516

+10:

¥17.746417

+100:

¥11.925287

+500:

¥9.431915

+1000:

¥8.629655

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

IKD06N60RFATMA1_晶体管-IGBT
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IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥27.843516

+10:

¥17.746417

+100:

¥11.925287

+500:

¥9.431915

+1000:

¥8.629655

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop®

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

IKD06N60RFATMA1_未分类
IKD06N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -40°C # 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Reverse Recovery Time (trr): 48 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A

Supplier Device Package: PG-TO252-3

IGBT Type: Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns

Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)

Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V

Gate Charge: 48 nC

Part Status: Active

Current - Collector (Ic) (Max): 12 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A

Power - Max: 100 W

Mouser
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+1:

¥11.773855

+10:

¥11.74069

+100:

¥10.181898

+500:

¥7.67788

+2500:

¥7.661297

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 48 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns

测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 48 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IKD06N60RFATMA1
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥6.869024

库存: 0

货期:7~10 天

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IKD06N60RFATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop®
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 18 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,6A
功率 - 最大值: 100 W
开关能量: 90µJ(开),90µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 48 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 7ns/106ns
测试条件: 400V,6A,23 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 48 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)