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IRGS4715DPBF_晶体管-IGBT

IGBT WITH RECOVERY DIODE

晶体管-IGBT

+220:

¥14.085866

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

IRGS4715DPBF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 21 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 24 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,8A

功率 - 最大值: 100 W

开关能量: 200µJ(开),90µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 30 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/100ns

测试条件: 400V,8A,50 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 86 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IRGS4715DPBF参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -40°C # 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D2PAK