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IKD03N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD03N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥9.5832

+10:

¥6.3888

+30:

¥5.324

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A

功率 - 最大值: 53.6 W

开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 17.1 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns

测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
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IKD03N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD03N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥15.243542

+10:

¥13.265706

+30:

¥12.019997

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A

功率 - 最大值: 53.6 W

开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 17.1 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns

测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKD03N60RFATMA1_晶体管-IGBT
IKD03N60RFATMA1
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A

功率 - 最大值: 53.6 W

开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 17.1 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns

测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKD03N60RFATMA1_晶体管-IGBT
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IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

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¥6.780666

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A

功率 - 最大值: 53.6 W

开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 17.1 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns

测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥14.758023

+10:

¥13.139819

+100:

¥10.247764

+500:

¥8.466188

+1000:

¥6.780666

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop™

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

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IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

晶体管-IGBT

+1:

¥14.758023

+10:

¥13.139819

+100:

¥10.247764

+500:

¥8.466188

+1000:

¥6.780666

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchStop™

工作温度: -40°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

Mouser
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IKD03N60RFATMA1_未分类
IKD03N60RFATMA1
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IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3

未分类

+1:

¥15.035577

+10:

¥11.619886

+100:

¥9.446266

+500:

¥8.171509

+1000:

¥6.651609

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A

功率 - 最大值: 53.6 W

开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 17.1 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns

测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKD03N60RFATMA1_未分类
IKD03N60RFATMA1
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晶体管, IGBT, 600V, 6.5A, TO-252

未分类

+1:

¥8.547634

+10:

¥6.729526

+100:

¥5.378571

+500:

¥4.658904

+1000:

¥4.141248

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IKD03N60RFATMA1_未分类
IKD03N60RFATMA1
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TRANSISTOR, IGBT, 600V, 6.5A, TO-252

未分类

+1:

¥9.235511

+10:

¥7.195248

+100:

¥5.746546

+500:

¥4.973903

+1000:

¥3.802862

库存: 0

货期:7~10 天

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IKD03N60RFATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop™
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IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 6.5 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 7.5 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,2.5A
功率 - 最大值: 53.6 W
开关能量: 50µJ(开),40µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 17.1 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 10ns/128ns
测试条件: 400V,2.5A,68 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 31 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)