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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IKB15N65EH5ATMA1_晶体管-IGBT
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¥19.584818

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™ 5

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A

功率 - 最大值: 105 W

开关能量: 400µJ(开),80µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 38 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/145ns

测试条件: 400V,15A,39 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 70 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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IKB15N65EH5ATMA1_晶体管-IGBT
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

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系列: TrenchStop™ 5

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A

功率 - 最大值: 105 W

开关能量: 400µJ(开),80µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 38 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/145ns

测试条件: 400V,15A,39 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 70 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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Mouser
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IKB15N65EH5ATMA1
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品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop™ 5

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A

功率 - 最大值: 105 W

开关能量: 400µJ(开),80µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 38 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/145ns

测试条件: 400V,15A,39 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 70 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKB15N65EH5ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop™ 5
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A
功率 - 最大值: 105 W
开关能量: 400µJ(开),80µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 38 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/145ns
测试条件: 400V,15A,39 欧姆,15V
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工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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温度: -40°C # 175°C(TJ)