IRG4RC10KDTRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥6.81835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 18 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.62V 15V，5A 功率 - 最大值： 38 W 开关能量： 250µJ（开），140µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 19 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 49ns/97ns 测试条件： 480V，5A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 28 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-Pak 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRG4RC10KDTRPBF International 授权代理品牌	SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG 下载数据手册未分类	+300：￥7.410305 +500：￥7.376156 +1000：￥7.342005 +5000：￥7.239556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.62V @ 15V, 5A Supplier Device Package： D-Pak IGBT Type： - Td (on/off) @ 25°C： 49ns/97ns Switching Energy： 250µJ (on), 140µJ (off) Test Condition： 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge： 29 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 18 A Power - Max： 38 W

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	IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 18 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.62V 15V，5A 功率 - 最大值： 38 W 开关能量： 250µJ（开），140µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 19 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 49ns/97ns 测试条件： 480V，5A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 28 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-Pak 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 18 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.62V 15V，5A 功率 - 最大值： 38 W 开关能量： 250µJ（开），140µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 19 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 49ns/97ns 测试条件： 480V，5A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 28 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-Pak 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRG4RC10KDTRPBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	IGBT WITH RECOVERY DIODE 下载数据手册晶体管-IGBT	+321：￥13.317488	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRG4RC10KDTRPBF International 授权代理品牌	SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.62V @ 15V, 5A Supplier Device Package： D-Pak IGBT Type： - Td (on/off) @ 25°C： 49ns/97ns Switching Energy： 250µJ (on), 140µJ (off) Test Condition： 480V, 5A, 100Ohm, 15V Gate Charge： 29 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 18 A Power - Max： 38 W

Mouser

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	IRG4RC10KDTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 9A 38W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： - 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 18 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.62V 15V，5A 功率 - 最大值： 38 W 开关能量： 250µJ（开），140µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 19 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 49ns/97ns 测试条件： 480V，5A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 28 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： D-Pak 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRG4RC10KDTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	-
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	9 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	18 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.62V 15V，5A
功率 - 最大值:	38 W
开关能量:	250µJ（开），140µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	19 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	49ns/97ns
测试条件:	480V，5A，100 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	28 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装:	D-Pak
温度:	-55°C # 150°C（TJ）