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IKD15N60RAATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 30A 250W TO252-3

晶体管-IGBT

+2500:

¥21.39999

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: TrenchStop®

零件状态: 不适用于新设计

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A

功率 - 最大值: 250 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 90 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/183ns

测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 110 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

温度: -40°C # 175°C(TJ)

IKD15N60RAATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: TrenchStop®
零件状态: 不适用于新设计
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,15A
功率 - 最大值: 250 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 90 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/183ns
测试条件: 400V,15A,15 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 110 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
温度: -40°C # 175°C(TJ)