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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.084438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥10.434251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

自营国内现货

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	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥5.042375 +10000：￥4.875432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥8.713208 +10000：￥8.42473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.1206 +10：￥16.676646 +100：￥13.273426 +500：￥11.23174 +1000：￥9.530006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.1206 +10：￥16.676646 +100：￥13.273426 +500：￥11.23174 +1000：￥9.530006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

Mouser

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	IPG20N04S4L07ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2mOhm 17A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3980pF 25V 功率 - 最大值： 65W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C (TJ)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPG20N04S4L07ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥26.817284 +10：￥23.498301 +25：￥22.454498 +50：￥19.41752 +100：￥18.271635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPG20N04S4L07ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+5000：￥13.744241 +10000：￥13.681715 +15000：￥13.619189 +20000：￥13.555386 +25000：￥13.490308	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPG20N04S4L07ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Bulk,Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2mOhm 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3980pF 25V
功率 - 最大值:	65W
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C (TJ)