IRGS4B60KD1TRRP厂家价格_数据手册

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥16.778949 +10：￥14.655036 +100：￥12.531123 +1000：￥10.619565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥6.960671 +10：￥5.933508 +30：￥5.376217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥3.79456	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥9.04218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册未分类	+640：￥3.887011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRGS4B60KD1TRRP International 授权代理品牌	IGBT 11A, 600V, N CHANNEL 下载数据手册未分类	+259：￥14.79468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package： D2PAK IGBT Type： NPT Td (on/off) @ 25°C： 22ns/100ns Switching Energy： 73µJ (on), 47µJ (off) Test Condition： 400V, 4A, 100Ohm, 15V Gate Charge： 12 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 11 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 22 A Power - Max： 63 W

Mouser

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	IRGS4B60KD1TRRP INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT 600V 11A 63W D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 11 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 22 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 63 W 开关能量： 73µJ（开），47µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 12 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 22ns/100ns 测试条件： 400V，4A，100 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 93 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRGS4B60KD1TRRP参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
IGBT 类型:	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	11 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	22 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.5V 15V，4A
功率 - 最大值:	63 W
开关能量:	73µJ（开），47µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	12 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	22ns/100ns
测试条件:	400V，4A，100 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	93 ns
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	D2PAK
温度:	-55°C # 175°C（TJ）