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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
IGB15N65S5ATMA1
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¥45.99936

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¥38.3328

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¥30.66624

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¥25.5552

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

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IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
IGB15N65S5ATMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

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IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

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IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
IGB15N65S5ATMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

Digi-Key
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IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
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¥12.803209

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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

IGB15N65S5ATMA1_未分类
IGB15N65S5ATMA1
授权代理品牌
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¥14.010615

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¥13.310139

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¥12.809681

+10000:

¥12.385679

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

IGBT Type: Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns

Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)

Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V

Gate Charge: 38 nC

Current - Collector (Ic) (Max): 35 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A

Power - Max: 105 W

IGB15N65S5ATMA1_未分类
IGB15N65S5ATMA1
授权代理品牌
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¥29.505584

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¥24.512332

+100:

¥19.514823

+500:

¥16.51263

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

IGBT Type: Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns

Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)

Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V

Gate Charge: 38 nC

Current - Collector (Ic) (Max): 35 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A

Power - Max: 105 W

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货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)

Input Type: Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

IGBT Type: Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C: 12ns/117ns

Switching Energy: 250µJ (on), 140µJ (off)

Test Condition: 400V, 15A, 25Ohm, 15V

Gate Charge: 38 nC

Current - Collector (Ic) (Max): 35 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A

Power - Max: 105 W

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGB15N65S5ATMA1_晶体管-IGBT
IGB15N65S5ATMA1
授权代理品牌
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¥22.215844

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¥20.432091

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¥18.648337

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -

功率 - 最大值: -

开关能量: -

输入类型: -

栅极电荷: -

25°C 时 Td(开/关)值: -

测试条件: -

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

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IGB15N65S5ATMA1_未分类
IGB15N65S5ATMA1
授权代理品牌

5 high speed soft switching IGBT

未分类

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¥10.631224

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货期:7~10 天

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IGB15N65S5ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): -
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -
电流 - 集电极脉冲 (Icm): -
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): -
功率 - 最大值: -
开关能量: -
输入类型: -
栅极电荷: -
25°C 时 Td(开/关)值: -
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): -
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安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
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