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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGB03N120H2ATMA1_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

晶体管-IGBT

+1000:

¥15.465462

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 最后售卖

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 9.6 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 9.9 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,3A

功率 - 最大值: 62.5 W

开关能量: 290µJ

输入类型: 标准

栅极电荷: 22 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 9.2ns/281ns

测试条件: 800V,3A,82 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): -

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IGB03N120H2ATMA1_未分类
IGB03N120H2ATMA1
授权代理品牌

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+1000:

¥17.07185

+2000:

¥16.902237

+3000:

¥16.732624

+4000:

¥16.565523

+5000:

¥16.39968

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IGB03N120H2ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 最后售卖
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 9.6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 9.9 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,3A
功率 - 最大值: 62.5 W
开关能量: 290µJ
输入类型: 标准
栅极电荷: 22 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 9.2ns/281ns
测试条件: 800V,3A,82 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): -
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
温度: -40°C # 150°C(TJ)